三星用HKMGDDR5芯片开发512GBDDR5模块

三星宣布已开发出业界首款 512GB 内存模块,使用其最新的 DDR5 内存设备,该设备使用高 k 电介质作为绝缘体。新的 DIMM 专为使用 DDR5 内存的下一代服务器而设计,包括由 AMD 的 Epyc 'Genoa' 和英特尔的 Xeon Scalable 'Sapphire Rapids' 处理器提供支持的服务器。

三星的 512GB DDR5 注册 DIMM (RDIMM) 内存模块使用基于 8 个 16Gb DRAM 设备的 32 个 16GB 堆栈。8-Hi 堆栈使用硅通孔互连以确保低功率和高质量信号传输。出于某种原因,三星没有透露其 RDIMM 支持的最大数据传输速率,这并非完全出乎意料,因为该公司无法透露下一代服务器平台的规格。

三星 512GB RDIMM 的一个有趣之处在于它使用了该公司最新的 16 Gb DDR5 内存设备,该设备用最初用于逻辑门的高 k 材料取代了传统绝缘体,以降低漏电流。这不是三星第一次将 HKMG 技术用于内存,因为早在 2018 年,它就开始将其用于高速 GDDR6 设备。从理论上讲,使用 HKMG 也可以帮助三星的 DDR5 设备达到更高的数据传输速率。

三星表示,由于 DDR5 的电压降低、HKMG 绝缘层和其他增强功能,其 DDR5 设备的功耗比前代产品低 13%,这对于面向服务器的 512GB RDIMM 尤为重要。

当与具有 8 个内存通道和每个通道 2 个 DIMM 的服务器处理器一起使用时,三星的新型 512GB 内存模块允许您为每个 CPU 配备高达 8TB 的 DDR5 内存,而目前为 4TB。

三星表示,它已经开始与服务器社区的各种合作伙伴一起对各种 DDR5 模块进行采样。该公司预计其下一代 DIMM 将得到市场上使用 DDR5 内存的时间服务器的验证和认证。

“英特尔的工程团队与三星等内存领导者密切合作,提供快速、节能的 DDR5 内存,该内存经过性能优化,并与我们即将推出的代号为 Sapphire Rapids 的英特尔至强可扩展处理器兼容,”副总裁兼总经理 Carolyn Duran 表示英特尔内存和 IO 技术。

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