针对市面上电源产品，80 PLUS 认证几乎已经是玩家选购中的必需条件，在 2011 年时 80 PLUS 更是加入了比白金牌还要更高阶的钛金牌认证，在 230V 的交流电输入下需要具备高达 96% 的转换效率方可获得，也成为交换式电源供应器的性能标竿。

在半导体製程与相关转换晶片设计的技术增长下，如今曾经难以达到的 80 PLUS 钛金超高转换效率产品也能够进入平民的市场中，Antec 的高阶电源产品线 Signature 也推出了 1000W 的钛金版本，基本的全日系电容与高达 10 年的 AQ10 保固年限，最大程度的满足玩家与用户们对于用料与转换效率的极致要求。

产品规格一览 :
产品名称 : Antec Signature 1000W TITANIUM
产品型号 : X9000A505-18
保固 : 10 years
输入电压、电流 : 100-240 VAC、13A-6.5A
PFC 类型 : 主动式 PFC
80 PLUS 认证 : 钛金牌认证
尺寸 : 150 x 170 x 86mm
安规规範 : CB, CE, FCC, BSMI, TUV, cTUVus, 3C, KC, RCM
风扇尺寸 : 135mm
接头 : 1 x ATX 20+4 Pin、2 x CPU EPS 4+4 Pin、8 x 6+2 Pin PCI-E、16 x SATA、5 x Molex、1 x FDD


Antec Signature 1000W TITANIUM 开箱 : Signature 特选品质与用料

外包装的部分，Antec Signature 1000W 採用了银灰色的配色风格，彻底呈现出电源的高级用料的视觉效果与钛金的转换效率，产品特色 (如全日系电容、OC Link) 标示于左下方，同时在左侧也有详细的输出能力与接头数量。




↑ 外包装正反面。


↑ 外包装侧面。


盒装内部採用 Antec 以往会採用的经典黑色纸盒包装。


↑ 内部盒装。


产品内部包含电源供应器本体、模组线、电源线、螺丝、说明书等配件，电源线採用日规双孔版本，若有第三孔接地需求的用户需要额外处理。








↑ 相关配件与模组线材一览，对于有用不到的多余模组线，玩家可以直接收纳于黑色不织布袋子中，十分方便。


模组化线材与电源线一览。实际量测线材长度，ATX 20+4 Pin 为 63 公分，PCI-E 单个的为 78 公分，两个插槽分别为 70 与 77 公分，CPU EPS 为 68 公分。SATA 线材也有分成长、中、短的版本，兼顾各种不同尺寸、配置的机壳使用环境。








↑ 线材实际长度量测，在此处也可见到主要的 ATX 24 Pin、PCI-E、CPU EPS 线材尾端皆有加上电容，提供更优质的输出表现加成。


电源供应器本体，本体外壳在风扇的部分採用 Y 字开孔风扇护网并搭配装饰外框，左右侧面有 Signature 梯形的装饰铭牌、TITANIUM 字样与 Antec 商标。






↑ 电源本体一览。


电源后方出风口处具备实体开关与零转速风扇控制切换按钮、前方模组化线组输出插座旁有白色字样标示，并且在左上角具备一个 OC Link，可以与同时支援 OC Link 的电源进行串联并同时一起启动，对于使用多显卡的极限使用环境来说拥有更大的升级与使用弹性。


↑ 模组化接线板位置。


↑ 输出与规格资讯铭牌。


↑ 电源后方出风口处。


Antec Signature 1000W TITANIUM 拆解 : 料件选择思维、创造顶尖效率

本次评测我们将这款 Antec Signature 1000W 钛金牌的电源进行拆解，以解析内部用料细节给各位玩家看。

外壳拆解一览，相信对于资深玩家而言，一眼即可看出这款 PSU 採用了海韵代工的方案与架构，为各位玩家带来最优质的用料与最可靠的架构与相容性保证。


↑ 外壳拆解图片，此处可见电源外壳与底部黏有导热胶片，位于 +12V 同步整流的 MOSFET 上方，将废热进一步自电源外壳散出。


↑ PCB 背面，採用黑色的 Solder Mask，焊点方面做工十分优秀，整体完全没有用到飞线，製造工艺十分良好。


↑ 在风扇方面採用鸿华 HA13525M12F-Z FDB 轴承扇，12V、0.36A、1800 rpm。并且贴有塑胶导风板将气流导向电源内部发热量较大的部件。


一次侧 EMI 採用金属罩遮屏，内部应该同样也具备提高效率所需的 X 电容放电 IC，相较于一般使用放电电阻并联在 X 电容上的设计，能够减少电力必须通过电阻而造成的功率损失。这也是许多高阶高转换效率所必备的料件之一。AC 输入端 (一阶 EMI) 方面具备 1 个 Cx 与 2 个 Cy 电容。


↑ 电源输入端一览，此处应具备 X 电容放电 IC，详细型号因为被遮挡住未知。


二阶 EMI 位于 PCB 板上，包含 2 个 Cx 电容，2 个共模电感，4 个 Cy 电容，MOV 涌浪保护元件也位于此处。


↑ 二阶 EMI 一览。


桥式整流器部分採用两枚 VISHAY LVB2560 并锁在散热片上加强散热，除了规格达单枚 600V/25A 这样子已远超出 1000W 输出的要求以外，此桥整拥有极低的 Vf 值 (0.76V)，相较于市面上多数相近规格的桥整 Vf 多位于 1.1V 左右或更高，可见为了让效率能够达到钛金等级，每一个地方的选料自然都必须有所要求，同时此处可见 APFC Boost 电感採用封闭式元件形式，上方同时印有 Seasonic 的字样。


↑ 桥式整流器、APFC 电感元件一览。


APFC 开关晶体与升压二极体均锁在散热片上加强散热。APFC 开关晶体型号为两枚英飞凌 IPP60R099C7，这枚 MOSFET 的 RDS(on) 参数同样也是相当可圈可点，于 Tj=25°C 的环境工作下最大仅有 0.099Ω，相较于其余金牌电源多数採用相近条件下 0.18Ω 左右的料件而言自然也能够提供更佳的转换效率，APFC 升压二极体则为意法半导体 STPSC10H065D。

此处另可见 NTC 与继电器，NTC 用以抑制 Inrush Current，而继电器 (Relay) 会将 NTC 短路，去除 NTC 作用所造成的转换功率损失，同样是为了增进转换效率而设计的，此外此处还有设置两枚比流器。


↑ 一次侧 APFC 与 NTC、Relay 相关元件一览。


↑ BULK 电容 (APFC 主电容) 採用两枚并联设计，分别是一枚 Rubycon MXH 470µF 400V 与另一枚 Rubycon MXK 系列 820µF 400V，共两颗 105°C 电解电容并联，相当充足的容值确保着更长的 Hold-Up Time。


↑ APFC 控制器应位于此处的子卡上，详细型号未知，推测应採用 ON Semiconductor NPC1654 方案。


Antec Signature 1000W 採用全桥 (Full-Bridge) 架构，因此主具备四枚开关晶体，均採用 Infineon IPP50R140CP，具全绝缘封装设计可避免灰尘或湿气累积造成打火或短路的状况，同样皆在 Gate 极上有额外套上磁珠。


↑ 主开关晶体一览，晶体本身接触于散热片上散热。


电源中间的部分为 LLC 电路区，可见 LLC 谐振电感、谐振电容、一次侧电流 CT (比流器)，此外在驱动隔离的部分採用的是两枚 SILICON LABS Si8230BD 来取代普遍使用的驱动隔离变压器，位置位于背面。


↑ LLC 谐振电感 (白框)、谐振电容 (橘框)、一次侧电流 CT 比流器 (绿框)。


↑ SILICON LABS Si8230BD 驱动隔离器。


↑ 主变压器、辅助变压器特写一览。


二次侧採用同步整流 (SR) 与 DC-DC 方案。+12V 採用同步整流控制，+5V 与 +3.3V 则採用位于 Riser Board 上方的元件以从 +12V D2D 转换出去的方式输出。LLC 控制器与同步整流均採用 IC 为虹冠 CM6901T2X SLS (SRC/LLC+SR) 方案。


↑ 虹冠 CM6901T2X SLS (SRC/LLC+SR) IC。


+12V 同步整流晶体为 6 枚 Nexperia PSMN1R0-40YLD LFPAK 封装，位于 PCB 板背面。并且透过与外壳连接的导热胶与正面额外加大的散热片协助散热。


↑ Nexperia PSMN1R0-40YLD 同步整流 MOSFET，此 MOSFET 表订规格为 40V /280A，在 RDS(on) 参数方面为 1.4 mΩ / 25 °C，相较于金牌版本使用的 PSMN2R6-40YS (参数 40V / 100A ; 2.8 mΩ / 25 °C)，明显拥有更低的 RDS(on) 内阻表现。


↑ 正面散热片一览，各有额外加上鳍片增加散热能力。


+3.3V 与 +5V 採用 Riser Board 上方的元件进行转换，子板上方均採用固态电容，具体晶体与控制器型号由于被后方散热片挡住故无法得知。


↑ DC-DC Riser Board 一览，后方散热片具导热胶接触相关元件以加强散热。


+5VSB 直接自 AC 转换，採用 Leadtrend LD7750R PWM 控制器、待机辅助变压器，并搭配 STMicroelectronics STF6N65K3、MCCSemi MBR1045ULPS SBR 进行输出。


↑ STF6N65K3 MOSFET 与待机辅助变压器一览。




↑ Leadtrend LD7750R PWM 控制器、MCCSemi MBR1045ULPS SBR 位于 PCB 背面。


-12V 也採用一组独立子卡处理。


↑ -12V 独立子卡。


电源管理监控 IC 与隔离高 / 低压区的光耦合器皆主要位于侧边子卡上。电源管理监控 IC 採用 Weltrend WT7527V，提供 OVP / UVP / OCP / SCP 等保护，并接受主机板发出的 PS-ON 信号与生成 PG (Power Good) 信号。


↑ Weltrend WT7527V 电源管理监控 IC、四枚光耦合器。


在二次侧电容方面也均採用日系电容。固态电容方面採用 FPCAP、日本化工 PSE 的厂牌品种。电解电容则为日本化工 KY、KZH、KYB 与 Rubycon YXG 的厂牌与系列。在使用寿命方面提供相当不错的保障。


↑ 电容用料一览。


电源模组化接线板上方亦放有数枚电容增进输出品质。


↑ 电源模组化接线板正面一览。


Antec Signature 1000W TITANIUM 电源用料简表一览

内部用料简表架构一次侧全桥 LLC 谐振架构二次侧DC-DC + 同步整流 (SR)一次侧EMI Filter6x Cy 电容、3x Cx 电容、2x 共模电感, 1x X Cap Discharge IC、1x MOV桥式整流器2x VISHAY LVB2560 (800V, 25A)APFC 开关晶体2xInfineon IPP60R099C7 (650V, 14 A @ 100 °C, 0.099 Ω)APFC 升压二极体1xSTMicroelectronics STPSC10H065D (650V, 10 A @ 135 °C)BULK 电容1xRubycon MXK 400V 820μF 105°C + 1x Rubycon MXH 400V 470μF 105°C主开关晶体4xInfineon IPP50R140CP (550V, 15 A @ 100 °C, 0.14Ω)APFC 控制 IC ON Semiconductor NPC1654 (?)驱动隔离 IC2x Silicon Labs Si8230BD二次侧二次侧滤波电容电解电容RubyCon YXG、NCC KY、NCC KZE、NCC KYB固态电容Nichicon FPCAP 、NCC PSE同步整流 IC+12V : CM6901T2X同步整流晶体6x Nexperia PSMN1R0-40YLD (40 V, 280 A @ 25 °C, 1.4 mΩ)DC-DC 控制 IC+3.3V & +5V: 未知DC-DC 晶体+3.3V & +5V : 未知 监控 ICWeltrend WT7527V风扇鸿华 HA13525M12F-Z FDB，12V、0.36A、1800 rpm+5VSB 电路Rectifier1x MCCSemi MBR1045ULPS (45V,10A)、1x STMicroelectronics STF6N65K3 (650 V, 3 A @ 100 °C, 1.3Ω)PWM 控制 ICLeadtrend LD7750R