打破超宽带隙半导体记录就像烤面包一样

导读研究人员通过烘烤温度和时间来制造无与伦比的超宽带隙半导体,就像烤面包一样。自从铜和锡结合形成硬度更高的青铜以来,合金化(一种以不同

研究人员通过烘烤温度和时间来制造无与伦比的超宽带隙半导体,就像烤面包一样。自从铜和锡结合形成硬度更高的青铜以来,合金化(一种以不同比例混合金属的过程)一直是一种已知的制造具有增强性能的材料的方法。尽管技术已经过时,但它仍然是现代电子和光学行业的核心。例如,可以对半导体合金进行工程设计,以优化设备的电气,机械和光学性能。

含铝,镓和铟等第III族元素的氧合金是重要的半导体材料,在高功率电子,太阳盲光电探测器和透明设备中具有广泛的应用。半导体的定义特性是其带隙,即只有具有所需能量的电子才能通过的带隙。β相铝镓氧化物因其带隙较大而引人注目,但大多数III-O合金制造昂贵且质量不令人满意。

廖车豪和李小航小组的同事们发明了一种类似于面包烘烤的技术,可以在普通的熔炉中生产出高质量的铝镓氧化物。“我们已经证明了一种简单有效的方法,称为热互扩散合金化(TIA),可以实现高质量的薄膜,同时还可以随温度和时间控制成分,”廖说。

廖和团队首先在蓝宝石衬底上制作常见的氧化镓模板的“面团” 。然后,他们在炉子中将样品加热到1,000到1,500摄氏度之间的高温。在面包烘烤中,加热过程使面筋硬化并使面团固化。在他们的研究中,加热导致铝原子从蓝宝石缓慢扩散到氧化镓中,而镓原子沿相反的方向移动以混合并生成铝镓氧化物合金。更高的温度和更长的过程导致更多的相互扩散,从而生产出具有更高铝成分的合金。

退火温度和时间的选择可以更好地控制铝成分,铝含量在0%到81%之间变化,这是对应于非常宽的带隙范围的合金的最高记录。“我们已经证明,TIA是控制基本薄膜特性(包括组成,带隙和厚度)的一项出色的新技术,” Liao解释说。

KAUST的研究人员将TIA视为改进电子和光子学设备的途径,以克服诸如减少碳排放以及改善健康和安全性等挑战。廖说:“我们现在将TIA应用于下一代设备研究。”

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